Các máy EUV nội bộ của Trung Quốc được báo cáo là tham gia sản xuất thử nghiệm vào quý 3 năm 2025, sử dụng một cách tiếp cận cung cấp một thiết kế đơn giản hơn, hiệu quả hơn;Smic & Huawei để hưởng lợi rất nhiều

Việc sử dụng thiết bị DUV đã ảnh hưởng lớn đến sự phát triển của công ty bán dẫn lớn nhất Trung Quốc, SMIC. Mặc dù SMIC từng cho biết đã sản xuất thành công wafer 5nm, nhưng sản xuất hàng loạt vẫn gặp khó khăn do chi phí cao và hiệu suất thấp. Những trở ngại này cũng tác động tiêu cực đến Huawei, công ty chưa thể vượt qua ngưỡng 7nm. Đáng tiếc, do lệnh trừng phạt thương mại của Mỹ, ASML không thể cung cấp máy móc EUV tiên tiến cho bất kỳ thực thể nào của Trung Quốc, vì vậy, các chuyên gia trong nước chỉ có thể tự sản xuất thiết bị.

Theo báo cáo mới nhất, các tham vọng này đã được nêu rõ, với việc sản xuất thử dự kiến bắt đầu vào quý 3 năm 2025. Các máy EUV tùy chỉnh này sẽ sử dụng plasma phóng điện bằng laser (LDP), khác một chút so với plasma sản xuất bằng laser (LPP) của ASML. Sản xuất hàng loạt máy EUV trong nước của Trung Quốc có thể bắt đầu vào năm 2026, với thiết kế đơn giản hơn và tiết kiệm năng lượng hơn. Việc sản xuất quy mô lớn những máy EUV này là điều mà Trung Quốc cần để giảm phụ thuộc vào các công ty chịu ảnh hưởng của Mỹ.

Hình ảnh từ các tài khoản X zephyrz9 và MaWuKong cho thấy một hệ thống mới đang được thử nghiệm tại cơ sở của Huawei ở Đông Quan. Một báo cáo trước đó cho biết một nhóm nghiên cứu từ Harbin Provincial Innovation đã phát triển nguồn sáng lithography cực tím plasma phóng điện. Nguồn sáng này có khả năng sản xuất ánh sáng EUV với bước sóng 13,5nm, đáp ứng nhu cầu của thị trường photolithography.

Dưới hệ thống mới đang được thử nghiệm tại một cơ sở của Huawei, LDP được sử dụng để tạo ra bức xạ EUV 13.5nm. Quá trình này bao gồm việc làm bay hơi thiếc giữa các điện cực và chuyển đổi thành plasma thông qua phóng điện cao áp, với các va chạm electron-ion tạo ra bước sóng cần thiết. Cách tiếp cận này khác với LPP của ASML, công ty Hà Lan dựa vào laser năng lượng cao và các điều khiển phức tạp dựa trên mạch lập trình trường FPGA.

Theo báo cáo sản xuất thử nghiệm, mẫu thử nghiệm tại cơ sở Huawei sử dụng plasma phát xạ laser có thiết kế đơn giản hơn, nhỏ gọn hơn, tiêu thụ ít năng lượng và chi phí sản xuất thấp hơn. Trước khi bắt đầu các thử nghiệm này, Trung Quốc và SMIC vẫn phụ thuộc vào máy móc DUV cũ. Các hệ thống lithography thế hệ trước sử dụng bước sóng 248nm và 193nm, kém hơn nhiều so với EUV với bước sóng 13nm.

Bức xạ 5nm. SMIC phải dựa vào nhiều bước định hình để đạt được các nút công nghệ tiên tiến, điều này không chỉ làm tăng chi phí sản xuất wafer mà còn tốn thời gian, dẫn đến hóa đơn cao. Ước tính, chip 5nm của SMIC sẽ đắt hơn 50% so với của TSMC khi sản xuất trên cùng một công nghệ in lithography, giải thích lý do tại sao công nghệ này chưa được ứng dụng.

Huawei hiện chỉ có thể phát triển các chipset Kirin trên quy trình 7nm, với các cải tiến nhỏ để nâng cao khả năng của các SoC mới hơn. Nếu tình hình này thay đổi, Huawei có thể thu hẹp khoảng cách với các công ty như Qualcomm và Apple, nhưng chúng ta nhận thấy rằng các công ty này thường gặp nhiều rào cản hơn là tiến bộ tích cực.

Hy vọng rằng cả Huawei và Trung Quốc sẽ vượt qua khó khăn và mang đến sự cạnh tranh cần thiết.

Nguồn: wccftech.com/china-in-house-euv-machines-entering-trial-production-in-q3-2025/